目前的芯片制造流程，均是基于光刻流程，所以光刻機(jī)必不可少。
(資料圖片)
而按照光刻機(jī)的種類，目前可以分為EUV、DUV、KrF、G線/I線等。而DUV又分為浸潤(rùn)式光刻機(jī)，干式光刻機(jī)。
其中EUV主要用于7nm以下工藝，浸潤(rùn)式用于7-65nm，干式光刻機(jī)用于65-130nm，KrF用于130-350nm，而而G線/I線用于350nm+。
但EUV光刻機(jī)全球只有ASML一家能夠生產(chǎn)，所以可以說(shuō)，全球的先進(jìn)芯片產(chǎn)業(yè)，都被ASML卡住了脖子，只要ASML不賣(mài)EUV光刻機(jī)，沒(méi)有哪一家廠商能夠進(jìn)入7nm工藝以下。
這當(dāng)然是其它廠商不能忍的，所以其它的廠商，均想研發(fā)出新的技術(shù)，來(lái)替代EUV光刻機(jī)。
其中佳能是押注NIL納米壓印技術(shù)，就是像芯片的電路圖刻到一個(gè)章子上，再將這個(gè)章子蓋章一樣蓋到硅晶圓上，形成芯片。
不過(guò)目前這種技術(shù)，還處于早期階段，但佳能表示到2025年要進(jìn)入5nm，讓大家繞開(kāi)EUV光刻機(jī)，所以行不行，得看2025年。
而近日，另外一種技術(shù)又被眾多的廠商提及，特別是intel還表示有了一些突破，已經(jīng)用這種技術(shù)，搞定了18nm工藝，接下來(lái)有望進(jìn)入到5nm，繞開(kāi)EUV光刻機(jī)。
這種技術(shù)是什么呢，叫做DSA自組裝技術(shù)，它并不是新東西，實(shí)際上10多年前就提出來(lái)了。原理就是利用一些化學(xué)藥品，腐蝕硅晶圓，讓硅晶圓在控制下，直接生成電路圖。
不過(guò)早期，因?yàn)檫@種方法缺陷太大，生產(chǎn)的圖案可控性不強(qiáng)，所以一直被大家忽視了，尤其當(dāng)EUV技術(shù)出來(lái)之后，大家都選擇了EUV光刻，很少有廠商去研究DSA了。
但現(xiàn)在摩爾定律快要失效了，光刻技術(shù)似乎已經(jīng)無(wú)法支撐摩爾定律的發(fā)展，所以像NIL、DSA技術(shù)，才再度興起，很多人覺(jué)得，利用NIL、DSA技術(shù)，或許可以給摩爾定律續(xù)命。
而英特爾通過(guò)研發(fā)，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一種DSA增強(qiáng)的EUV多圖案化方法，最終金屬間距為18nm，電氣性能穩(wěn)健，于是DSA技術(shù)，似乎又被大家重視了起來(lái)。
當(dāng)然，從18nm進(jìn)入5nm，可能要很久，甚至永遠(yuǎn)也進(jìn)不了，但是很多企業(yè)還是表示有信心，覺(jué)得DSA肯定能夠搞定EUV搞定的事情，甚至還會(huì)做到更好。
所以未來(lái)，究竟是EUV技術(shù)牛，還是DSA技術(shù)好，或者NIL技術(shù)更強(qiáng)，只有用時(shí)間來(lái)證明了。
不過(guò)值得一提的，目前從DSA技術(shù)，或者NIL技術(shù)，以及EUV技術(shù)來(lái)看，中國(guó)都是處于相對(duì)落后的，這些技術(shù)的專利，主要還是掌握在國(guó)外廠商的手中，EUV技術(shù)是ASML，NIL技術(shù)是佳能，而DSA技術(shù)主要是美歐廠商，所以中國(guó)還得加油。
責(zé)任編輯：Rex_23
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