廣西大學(xué)團隊制備出芯片產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵原材料7N高純鎵

(資料圖)

芯片產(chǎn)業(yè)是制約我國科技高速發(fā)展的瓶頸，除了研發(fā)技術(shù)以外，用于生產(chǎn)制作的原材料也是重要影響因素，高純金屬鎵就是鎵化物芯片必不可少的關(guān)鍵原材料，制備獲得超高純度、符合納米級別芯片使用的金屬鎵是解決我國高精尖科技“卡脖子”的核心技術(shù)之一，這也是廣西大學(xué)資源環(huán)境與材料學(xué)院研究生李柔遊一直致力攻克的難題。

保“鎵”衛(wèi)國團隊負責(zé)人李柔遊進行高純鎵制備實驗。項目團隊供圖

2021年9月，作為研一新生的李柔遊加入導(dǎo)師的高純鎵制備技術(shù)研發(fā)項目，隨后與志同道合的小伙伴共同組建“保‘鎵’衛(wèi)國”創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊，致力研究7N高純鎵創(chuàng)新制備技術(shù)及其相關(guān)產(chǎn)業(yè)化制備方案。

保“鎵”衛(wèi)國團隊在進行鎵的定向島狀成核條件研究試驗。項目團隊供圖

該團隊依托廣西大學(xué)省部共建特色金屬材料與組合結(jié)構(gòu)全壽命安全國家重點實驗室，在前期研究的基礎(chǔ)上，歷時實驗和經(jīng)過數(shù)據(jù)積累，研發(fā)出核心技術(shù)“標準晶種制備工藝”“冷熱循環(huán)結(jié)晶技術(shù)”“高純鎵一體化提純設(shè)備”，分別針對性地解決了高純鎵生產(chǎn)中所面臨的產(chǎn)品純度低、生產(chǎn)周期長、工藝流程復(fù)雜三大痛點難題，制備出的高純鎵經(jīng)國際權(quán)威機構(gòu)檢測認證，純度均達到了7個9以上，處于國際領(lǐng)先水平，可廣泛適應(yīng)于軍事、通訊、新能源產(chǎn)業(yè)等多領(lǐng)域。

保“鎵”衛(wèi)國團隊在中國鋁業(yè)廣西分公司鎵車間實地調(diào)研。項目團隊供圖

該技術(shù)得到日本科學(xué)院藤田豐久院士的高度評價，制備的產(chǎn)品經(jīng)過中國鋁業(yè)廣西分公司等企業(yè)的試用，獲得行業(yè)廣泛好評，目前“保‘鎵’衛(wèi)國”團隊已與中國鋁業(yè)廣西分公司達成制備技術(shù)全面合作協(xié)議。

在為企業(yè)帶來經(jīng)濟效益、帶動市場經(jīng)濟發(fā)展的同時，該團隊積極投身中國式現(xiàn)代化建設(shè)，立志深研高純鎵提純先進技術(shù)，不斷填補國內(nèi)技術(shù)空白，主動承擔(dān)以基礎(chǔ)性創(chuàng)新助力國家經(jīng)濟發(fā)展的社會責(zé)任，為構(gòu)建我國第三代半導(dǎo)體原材料安全新的鋼鐵長城貢獻青春力量。（王馨蔚 劉俊豪）

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