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2023-05-20 05:35:10 作者:老王
三星表示,它已經(jīng)通過啟動12納米工藝的16Gb DDR5 DRAM的大規(guī)模生產(chǎn)重申了其在DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。這家韓國電子巨頭聲稱,與上一代產(chǎn)品相比,這種新工藝生產(chǎn)的內(nèi)存IC可降低約四分之一的功耗,并將提高五分之一的晶圓生產(chǎn)力。此外,這些領(lǐng)先的內(nèi)存芯片將擁有7.2Gbps的最大引腳速度。
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三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee在討論這一制造里程碑時說:"利用差異化的工藝技術(shù),三星行業(yè)領(lǐng)先的12納米級DDR5 DRAM具有出色的性能和電源效率"。然而,PC用戶將不得不等待涓涓細(xì)流,因為這些12納米DDR5集成電路的首次使用將是在數(shù)據(jù)中心、人工智能和下一代計算等應(yīng)用領(lǐng)域。
三星表示,12納米級DRAM的開發(fā)是通過 "使用一種新的高K材料 "實(shí)現(xiàn)的。在進(jìn)一步的細(xì)節(jié)中,它解釋說,這些集成電路中使用的晶體管柵極材料具有更高的電容,使其狀態(tài)更容易被準(zhǔn)確區(qū)分。此外,三星在降低工作電壓和減少噪音方面的努力也有助于提供這種優(yōu)化的解決方案。
這些仍然是16Gb的IC,所以三星并沒有通過這些DRAM芯片在其密度路線圖上走得更遠(yuǎn)。相反,所預(yù)示的好處涉及電源效率、速度和晶圓經(jīng)濟(jì)。如果你想要一些數(shù)字,三星指出,12納米DDR5集成電路與前一代相比,功耗降低了23%,晶圓生產(chǎn)力提高了20%。
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